Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния р-типа - Каримов, Махамадали; Махкамов, Шермахмат; Турсунов, Нигматилла Алиакбарович; Махмудов, Шерзод Ахмадович; Сулаймонов, Абдурахмон Абдурашидович (Известия высших учебных заведений. Физика)
Исследуется ияние дефекто наведенных облучением быстрыми нейронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (p-Si<B, P>) и контрольном p-Si методом измерения коэфициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удаления носителей заряда p-Si<B, P> быстрее, чем p-Si. Предлагается барьерная модель, объясняющая наблюдаемый эффект.