Особенности электронного строения кристаллов Ga2AsSb
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 11/2. С. 95-96 |
|---|---|
| Главный автор: | Басалаев, Юрий Михайлович |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001134034 |
Похожие документы
-
Энергетическая зонная структура кристаллов Be–(C, Si, Ge, Sn)–N2
по: Басалаев, Александр Геннадьевич -
Моделирование электронной структуры кристалла Cu2BrCl с решеткой антихалькопирита
по: Басалаев, Юрий Михайлович -
Новые алмазоподобные соединения со структурой антихалькопирита
по: Басалаев, Юрий Михайлович - Особенности формирования зонной структуры кристаллов Cu2O и Ag2O со структурой куприта
- Моделирование структуры и фононных спектров гипотетических кристаллов BeXAS2 (X = Si, Ge, Sn)
