Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Особенности электронного строе...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Особенности электронного строения кристаллов Ga2AsSb

Особенности электронного строения кристаллов Ga2AsSb

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 11/2. С. 95-96
Главный автор: Басалаев, Юрий Михайлович
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
халькопирит
метод подрешеток
зонная структура
электронное строение кристаллов
статьи в журналах
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001134034
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001134034

Похожие документы

  • Энергетическая зонная структура кристаллов Be–(C, Si, Ge, Sn)–N2
    по: Басалаев, Александр Геннадьевич
  • Моделирование электронной структуры кристалла Cu2BrCl с решеткой антихалькопирита
    по: Басалаев, Юрий Михайлович
  • Новые алмазоподобные соединения со структурой антихалькопирита
    по: Басалаев, Юрий Михайлович
  • Особенности формирования зонной структуры кристаллов Cu2O и Ag2O со структурой куприта
  • Моделирование структуры и фононных спектров гипотетических кристаллов BeXAS2 (X = Si, Ge, Sn)
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...