Влияние тылового контакта на электрофизические и функциональные характеристики пленочных CdTe-детекторных структур с барьером Шоттки
Для регистрации ядерных излучений созданы пленочные CdTe-детекторные структуры с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе-пленок с удельным сопротивлением ρ = 105–107 Ом⋅см. Измерены вольт-фарадные, вольт-амперные, амплитудные и шумовые характеристики структур и определе...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 2. С. 47-52 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139226 |
| Итог: | Для регистрации ядерных излучений созданы пленочные CdTe-детекторные структуры с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе-пленок с удельным сопротивлением ρ = 105–107 Ом⋅см. Измерены вольт-фарадные, вольт-амперные, амплитудные и шумовые характеристики структур и определены механизмы переноса носителей тока при различных величинах напряжения смещения. Установлено, что ограничение функциональных характеристик детекторных структур связано с возникновением процессов инжекции в области тылового Мо-контакта. Обнаружено, что источником инжекции электронов является соединение MoO3 между пленкой и молибденовой подложкой. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 11 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |