|
|
|
|
| LEADER |
02849nab a2200349 c 4500 |
| 001 |
koha001139226 |
| 005 |
20240515134410.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
240508|2012 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001139226
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Влияние тылового контакта на электрофизические и функциональные характеристики пленочных CdTe-детекторных структур с барьером Шоттки
|c Ш. А. Мирсагатов, А. С. Ачилов, Б. Н. Заверюхин, М. С. Баиев
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 11 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Для регистрации ядерных излучений созданы пленочные CdTe-детекторные структуры с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе-пленок с удельным сопротивлением ρ = 105–107 Ом⋅см. Измерены вольт-фарадные, вольт-амперные, амплитудные и шумовые характеристики структур и определены механизмы переноса носителей тока при различных величинах напряжения смещения. Установлено, что ограничение функциональных характеристик детекторных структур связано с возникновением процессов инжекции в области тылового Мо-контакта. Обнаружено, что источником инжекции электронов является соединение MoO3 между пленкой и молибденовой подложкой.
|
| 653 |
|
|
|a пленочные структуры
|
| 653 |
|
|
|a детекторные структуры
|
| 653 |
|
|
|a теллурид кадмия
|
| 653 |
|
|
|a Шоттки барьер
|
| 653 |
|
|
|a инжекции электронов
|
| 653 |
|
|
|a тыловые контакты
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Мирсагатов, Шавкат Акрамович
|
| 700 |
1 |
|
|a Ачилов, Алимардон Самаридинович
|
| 700 |
1 |
|
|a Заверюхин, Борис Николаевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Баиев, Мурод Саидович
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2012
|g Т. 55, № 2. С. 47-52
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139226
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1139226
|d 1139226
|
