Определение электрофизических свойств МДП на основе nB(SL)n-структуры из HgCdTe в широком температурном диапазоне - Войцеховский, Александр Васильевич; Дзядух, Станислав Михайлович; Горн, Дмитрий Игоревич; Дворецкий, Сергей Алексеевич; Михайлов, Николай Николаевич физик; Сидоров, Георгий Юрьевич; Якушев, Максим Витальевич (Прикладная физика)
Проведено исследование адмитансных характеристик структуры металлдиэлектрик-полупроводник (МДП), в качестве полупроводника в которой использовалась nBn-структура на основе эпитаксиальных слоев Hg1-x Cd x Te, выращенных методом МЛЭ со сверхрешёткой в барьерной области. Построены зависимости концентрации основных носителей заряда и величины роизведения дифференциального сопротивления области пространственного заряда (ОПЗ) на площадь структуры от температуры. Определены параметры границы раздела Al2O3/Hg1-xCdxTe, такие как плотность и характерное время перезарядки поверхностных состояний. На температурной зависимости дифференциальной проводимости ОПЗ обнаружены две груп пы максимумов, на основании положения которых определены энергии активации носителей заряда, одна из которых соответствует ширине запрещенной зоны контактного слоя.