Определение электрофизических свойств МДП на основе nB(SL)n-структуры из HgCdTe в широком температурном диапазоне

Проведено исследование адмитансных характеристик структуры металлдиэлектрик-полупроводник (МДП), в качестве полупроводника в которой использовалась nBn-структура на основе эпитаксиальных слоев Hg1-x Cd x Te, выращенных методом МЛЭ со сверхрешёткой в барьерной области. Построены зависимости концентра...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Прикладная физика № 5. С. 75-83
Другие авторы:	Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	сверхрешетки гетероэпитаксиальные слои nBn-структура МДП-структура адмитанс статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139307