Определение электрофизических свойств МДП на основе nB(SL)n-структуры из HgCdTe в широком температурном диапазоне
Проведено исследование адмитансных характеристик структуры металлдиэлектрик-полупроводник (МДП), в качестве полупроводника в которой использовалась nBn-структура на основе эпитаксиальных слоев Hg1-x Cd x Te, выращенных методом МЛЭ со сверхрешёткой в барьерной области. Построены зависимости концентра...
| Published in: | Прикладная физика № 5. С. 75-83 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139307 |