Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения

Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком диапазоне условий проведения эксперимента. Темновые токи измерялись в диапазоне температур от 11 К д...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Прикладная физика № 4. С. 78-86
Other Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139583
LEADER 03125nab a2200409 c 4500
001 koha001139583
005 20241016174330.0
007 cr |
008 240517|2023 ru s c rus d
024 7 |a 10.51368/1996-0948-2023-4-78-86  |2 doi 
035 |a koha001139583 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения  |c А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.] 
246 1 1 |a Dark current components of nB(SL)n structures based on HgCdTe for a wide range of bias voltages 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 9 назв. 
520 3 |a Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком диапазоне условий проведения эксперимента. Темновые токи измерялись в диапазоне температур от 11 К до 300 К для мезаструктур с различными диаметрами поперечного сечения. Определены температурные зависимости объемной компоненты плотности темнового тока и плотности тока поверхностной утечки. Показано, что в исследованных структурах вольтамперные характеристики (ВАХ) формируются как объемной, так и поверхностной составляющими тока в зависимости от температуры и напряжения смещения. 
653 |a HgCdTe 
653 |a nBn-структура 
653 |a сверхрешетки 
653 |a электрические характеристики 
653 |a темновые токи 
653 |a теллурид кадмия ртути 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Войцеховский, Александр Васильевич 
700 1 |a Дзядух, Станислав Михайлович 
700 1 |a Горн, Дмитрий Игоревич 
700 1 |a Дворецкий, Сергей Алексеевич 
700 1 |a Михайлов, Николай Николаевич  |c физик 
700 1 |a Сидоров, Георгий Юрьевич 
700 1 |a Якушев, Максим Витальевич 
773 0 |t Прикладная физика  |d 2023  |g  № 4. С. 78-86  |x 1996-0948  |w 0099-44260 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139583 
908 |a статья 
999 |c 1139583  |d 1139583