Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения
Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком диапазоне условий проведения эксперимента. Темновые токи измерялись в диапазоне температур от...
| Published in: | Прикладная физика № 4. С. 78-86 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139583 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03390nab a2200433 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001139583 | ||
| 005 | 20241016174330.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 240517|2023 ru s c rus d | ||
| 024 | 7 | |a 10.51368/1996-0948-2023-4-78-86 |2 doi | |
| 035 | |a koha001139583 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения |c А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.] |
| 246 | 1 | 1 | |a Dark current components of nB(SL)n structures based on HgCdTe for a wide range of bias voltages |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 9 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком диапазоне условий проведения эксперимента. Темновые токи измерялись в диапазоне температур от 11 К до 300 К для мезаструктур с различными диаметрами поперечного сечения. Определены температурные зависимости объемной компоненты плотности темнового тока и плотности тока поверхностной утечки. Показано, что в исследованных структурах вольтамперные характеристики (ВАХ) формируются как объемной, так и поверхностной составляющими тока в зависимости от температуры и напряжения смещения. | |
| 653 | |a HgCdTe | ||
| 653 | |a nBn-структура | ||
| 653 | |a сверхрешетки | ||
| 653 | |a электрические характеристики | ||
| 653 | |a темновые токи | ||
| 653 | |a теллурид кадмия ртути | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 961988 | |
| 700 | 1 | |a Войцеховский, Александр Васильевич |9 64789 | |
| 700 | 1 | |a Дзядух, Станислав Михайлович |9 80402 | |
| 700 | 1 | |a Горн, Дмитрий Игоревич |9 89071 | |
| 700 | 1 | |a Дворецкий, Сергей Алексеевич |9 90983 | |
| 700 | 1 | |a Михайлов, Николай Николаевич |c физик |9 90964 | |
| 700 | 1 | |a Сидоров, Георгий Юрьевич |9 135906 | |
| 700 | 1 | |a Якушев, Максим Витальевич |9 91994 | |
| 773 | 0 | |t Прикладная физика |d 2023 |g № 4. С. 78-86 |x 1996-0948 |w 0099-44260 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139583 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1139583 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 039 | |z 22 |b 100 | ||
| 999 | |c 1139583 |d 1139583 | ||