The physical mechanism underpinning superfast switching of GaAs S-diode
Recently a physical phenomenon termed “collapsing field domains” (CFDs) was discovered, which manifests itself in several avalanching gallium arsenide (GaAs) structures. The phenomenon consists of the formation of a comb of ultra-high-amplitude field domains, which generate a dense electron-hole (e-...
| Published in: | Solid state communications Vol. 365. P. 115111 (1-8) |
|---|---|
| Other Authors: | Vainshtein, Sergey N., Prudaev, Ilya A., Duan, Guoyong, Rahkonen, Timo |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139655 |
Similar Items
- The mechanism of superfast switching of avalanche S-diodes based on GaAs doped with Cr and Fe
-
Исследование эффекта сильного поля в полупроводнике (эффект Ганна): Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
by: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Published: (2007) -
Эффект Ганна/
by: Левинштейн, М. Е. Михаил Ефимович, et al.
Published: (1975) -
Вторичная структура кристаллов и эффект Ганна - новые подходы и перспективы
by: Веснин, Юрий Иванович -
Шумовые характеристики генерирующих структур на эффекте Ганна
by: Юрченко, Василий Иванович
