Влияние низкоинтенсивного бета-облучения на фазовые превращения в кремнии при микроиндентировании
С использованием метода рамановской спектроскопии исследована морфология фазового состава кремния внутри отпечатка индентора с пространственным разрешением ~ 200 нм. Обнаружено подавление эффективности образования фаз Si-XII, Si-III и a-Si, индуцируемое облучением бета-частицами от источника 90^Sr...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 8. С. 73-76 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139828 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | С использованием метода рамановской спектроскопии исследована морфология фазового состава кремния внутри отпечатка индентора с пространственным разрешением ~ 200 нм. Обнаружено подавление эффективности образования фаз Si-XII, Si-III и a-Si, индуцируемое облучением бета-частицами от источника 90^Sr + 90^Y (флюенс F = 3,6⋅10^10 cм^(-2)). |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 12 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |