| Summary: | В результате исследования шумовых свойств фоторезистора на основе CdSe установлено, что при фоновой засветке определенной мощности имеет место минимум шума на его зависимости от напряжения смещения. Исследованы основные параметры обнаруженного минимума шума от мощности фоновой засветки. На основании расчета шумового напряжения и напряжения фотопроводимости показано, что обнаруженный минимум шума может быть связан только с особенностями формирования дисперсий числа свободных носителей заряда. Предположено, что уменьшение числа флуктуаций числа носителей заряда в разрешенных зонах возможно за счет протекания обратимых фотоструктурных преобразований в решетке полупроводника, вызванных захватом неравновесных дырок.
|
|---|
