Закономерности формирования эпитаксиального слоя феррошпинелей

Закономерности формирования эпитаксиального слоя феррошпинелей

Приведены экспериментальные данные и теоретический анализ процесса формирования эпитаксиального слоя феррошпинелей на (001) плоскости оксида магния в зависимости от состава. Показано, что особенности зарождения и роста пленок феррошпинелей на начальной стадии определяются концентрацией точечных дефе...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 4. С. 53-60
Другие авторы:	Митлина, Людмила Александровна, Молчанов, Владимир Васильевич, Бадртдинов, Григорий Сайдашевич, Никифорова, Инна Валерьевна, Косарева, Евгения Александровна
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	феррошпинели эпитаксиальные слои монокристаллические пленки зондовая микроскопия зародышеобразование статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139844

Похожие документы

Структурные причины перпендикулярной анизотропии в монокристаллических пленках феррошпинелей

Анализ характеристик магнитостатических волн, распространяющихся в неоднородных по толщине пленках феррошпинелей
по: Великанова, Юлия Владимировна

Исследование распределения потенциала в детекторных структурах на основе GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии
по: Казтаев, О. Ж.

Влияние параметров квантовых точек на характеристики системы материалов Si/Ge
по: Торопов, Никита Александрович

Спектры микроволновых колебаний в пленках феррошпинелей
по: Бадртдинов, Григорий Сайдашевич

Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок [сборник статей]
Публикация: (1977)

Синтез наноразмерных порошков кубических феррошпинелей методом Золь-Гель-горения и исследование их фундаментальных магнитных свойств
по: Минин, Роман Владимирович

Влияние обменного взаимодействия на затухание магнитостатических колебаний в пленках феррошпинелей
по: Бадртдинов, Григорий Сайдашевич

Влияние дополнительного слоя CdTe на характеристики МДП КРТ с варизонными слоями
по: Суханов, Иван Вячеславович

Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe

Контроль эпитаксиального роста тонких пленок кремния и германия методами дифракции электронов и кварцевым измерителем толщины
по: Заяханов, Владимир Александрович

Nano‑scale structural studies of defects in arsenic‑implanted n and p‑type HgCdTe films

Расчеты состава адсорбционных слоев, формирующихся на поверхности кристалла при росте
по: Полтавец, И. Ю.

Electrical characteristics of epitaxial MCT after As+ implantation

Some properties of near-surface layer of graded-gap MBE HgCdTe after boron ion implantation

Особенности магнитных свойств наноразмерных порошков феррошпинелей, полученных методом механохимических реакций
по: Найден, Евгений Петрович 1940-2015

Исследование эпитаксиального роста тонких пленок кремния и германия методами дифракции электронов и с помощью кварцевого измерителя толщины
по: Дирко, Владимир Владиславович

Nano‑size defect layers in arsenic‑implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy

Получение свободных монокристаллических пленок в системе Bi-Ga-Al-As/GaAs
по: Оскомова, Н. В.

Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
по: Серохвостов, Вячеслав Юрьевич

Влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость полиморфных Ga2O3-структур

Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом

Исследование рельефа и поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок GaAs методом атомно-силовой микроскопии

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок
по: Александров, Леонид Наумович
Публикация: (1978)

Исследование детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия

Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe

Зондовые нанотехнологии в электронике/
по: Неволин, В. К. Владимир Кириллович
Публикация: (2005)

Основы сканирующей зондовой микроскопии: учебное пособие для вузов/
по: Миронов, В. Л. Виктор Леонидович
Публикация: (2004)

Исследование кинетики роста и легирования эпитаксиального арсенида галлия в газотранспортной системе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
по: Пороховниченко, Лидия Петровна
Публикация: (1978)

Примерная программа учебной дисциплины "Зондовые методы создания структур наноэлектроники": учебные программы/
Публикация: (2011)

Study of tribological properties of human buccal epithelium cell membranes using probe microscopy

Учебное пособие по дисциплине "Зондовые методы создания структур наноэлектроники": учебное пособие/
по: Неволин, В. К. Владимир Кириллович
Публикация: (2011)

Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM

Примесный состав адсорбционных слоев на поверхностях (100) и (111)A GaAs в системе МЛЭ
по: Полтавец, И. Ю.

Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Влияние объемного наносекундного разряда в газовых средах атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала HgCdTe

Марганцевая феррошпинель: механохимический синтез, фазовый состав, структурные параметры и магнитные свойства

Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ
по: Назарчук, Юлия Николаевна

Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ
по: Назарчук, Юлия Николаевна

Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников [Сборник статей]
Публикация: (1975)