|
|
|
|
| LEADER |
02542nab a2200337 c 4500 |
| 001 |
koha001139953 |
| 005 |
20240529140048.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
240523|2011 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001139953
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Радиационно-стимулированные процессы в облученных кристаллах TlInS2 гексагональной модификации
|c Р. С. Мадатов, А. И. Наджафов, В. С. Мамедов, М. А. Мамедов
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 8 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Проведены исследования анизотропии электропроводимости в гексагональных кристаллах TlInS2, облученных γ-квантами. Установлено, что при облучении малыми дозами (~ 50 крад) происходит накопление радиационных дефектов в тетраэдрическом пространстве и в плоскости слоев. В результате этого увеличивается электропроводность σ⊥С и σ‖С. При увеличении дозы облучения (выше 200 крад) вследствие взаимодействия радиационных дефектов с исходными неоднородностями происходит образование сложных дефектов, в результате чего рост электропроводности в обоих направлениях ослабляется.
|
| 653 |
|
|
|a электропроводность
|
| 653 |
|
|
|a анизотропия
|
| 653 |
|
|
|a радиация
|
| 653 |
|
|
|a облучение
|
| 653 |
|
|
|a гексагональные кристаллы
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Мадатов, Рагим Салим оглы
|
| 700 |
1 |
|
|a Наджафов, Арзу Исрафил оглы
|
| 700 |
1 |
|
|a Мамедов, Вагиф Солтан оглы
|
| 700 |
1 |
|
|a Мамедов, Муслим Али оглы
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2011
|g Т. 54, № 10. С. 91-94
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139953
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1139953
|d 1139953
|
