Радиационно-стимулированные процессы в облученных кристаллах TlInS2 гексагональной модификации - Мадатов, Рагим Салим оглы; Наджафов, Арзу Исрафил оглы; Мамедов, Вагиф Солтан оглы; Мамедов, Муслим Али оглы (Известия высших учебных заведений. Физика)
Проведены исследования анизотропии электропроводимости в гексагональных кристаллах TlInS2, облученных γ-квантами. Установлено, что при облучении малыми дозами (~ 50 крад) происходит накопление радиационных дефектов в тетраэдрическом пространстве и в плоскости слоев. В результате этого увеличивается электропроводность σ⊥С и σ‖С. При увеличении дозы облучения (выше 200 крад) вследствие взаимодействия радиационных дефектов с исходными неоднородностями происходит образование сложных дефектов, в результате чего рост электропроводности в обоих направлениях ослабляется.