Радиационно-стимулированные процессы в облученных кристаллах TlInS2 гексагональной модификации
Проведены исследования анизотропии электропроводимости в гексагональных кристаллах TlInS2, облученных γ-квантами. Установлено, что при облучении малыми дозами (~ 50 крад) происходит накопление радиационных дефектов в тетраэдрическом пространстве и в плоскости слоев. В результате этого увеличивается...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 10. С. 91-94 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139953 |