Улучшение пространственной однородности монокристаллов ZnGeP2, выращиваемых методом Бриджмена в вертикальном варианте

Улучшение пространственной однородности монокристаллов ZnGeP2, выращиваемых методом Бриджмена в вертикальном варианте

Исследована пространственная неоднородность монокристалла ZnGeP2, выращенного в новой установке, позволяющей изменять термические условия в рабочем объеме, давление в паровой фазе и создавать вынужденную конвекцию в расплаве. Показано, что применение непрерывной коррекции температурного режима к...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 7. С. 29-33
Другие авторы:	Филиппов, Максим Михайлович, Грибенюков, Александр Иванович, Гинсар, Виктор Евгеньевич, Бабушкин, Юрий Владимирович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	дифосфид цинка-германия рост кристаллов Бриджмена метод оптическое пропускание статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140072 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Влияние лазерной закалки поверхности монокристаллов ZnGeP2 на порог оптического пробоя
по: Кальсин, Андрей Юрьевич

Оптическое "просветление" нелинейно-оптического кристалла ZnGeP2
по: Воеводин, Владимир Иванович

Моделирование континуального поглощения монокристаллического ZnGeP2

Quality control of ZnGeP2 single crystals using optical methods
по: Dyomin, Victor V.

Влияние послеростовых обработок монокристаллов ZnGeP2 на оптические свойства в ТГц-диапазоне
по: Воеводин, Владимир Иванович

Просветляющие оптические покрытия нелинейных кристаллов ZnGeP2

Исследования роста крупноразмерных монокристаллов ZnGeP2 для параметрических генераторов света
по: Титов, Константин Сергеевич

О механизме оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

Адаптация теории интерферометра Фабри-Перо для обработки данных терагерцовой спектроскопии ZnGeP2

Исследование процесса синтеза ZnGeP2 двухтемпературным методом
по: Бобылева, О. Д.

High-strength optical coatings for single-crystal ZnGeP2 by the IBS method using selenide and oxide materials

Laser-induced damage threshold of ZnGeP2 crystal for (sub)picosecond 1-μm laser pulse

Определение влияния магнитореологической полировки рабочих поверхностей монокристалл ZnGeP2 на изменение порога оптического пробоя

Генерация ТГц-излучения на разностной частоте в ZnGeP2 при накачке излучением стронциевого лазера

Влияние постростовых технологических обработок на диэлектрические параметры кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот
по: Воеводин, Владимир Иванович

The influence of angstrom-scale roughness on the laser-induced damage threshold of single-crystal ZnGeP2

Multilayer antireflection optical coatings based on Nb, Si and Al oxides for nonlinear ZnGeP2 crystals

Диагностика включений в кристаллах ZnGeP2 методом терагерцовой спектроскопии

Visualization and characterization of pre-breakdown processes in the volume of a ZnGeP2 single crystal during parametric generation of radiation in the wavelength range of 3.5-5 μm when pumped by Ho: YAG laser radiation

Параметрический генератор света на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 для дистанционного обнаружения утечек метана

Энергетические характеристики параметрического генератора на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 для лидарных систем и дистанционного газоанализа
по: Юдин, Николай Николаевич

Численное исследование процессов массопереноса в газовой фазе при двухтемпературном синтезе ZnGeP2
по: Лебедев, И. Н.

Перестраиваемый в диапазоне длин волн 3.3−4.2 мкм параметрический генератор света на базе монокристалла ZnGeP2 со спектральной шириной генерируемого излучения 1 см-1

Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2
по: Воеводин, Валерий Георгиевич

Electrical relaxation and transport properties of ZnGeP2 and 4H-SiC crystals measured with terahertz spectroscopy

Влияние низкотемпературного отжига на дислокационную структуру монокристаллов дифосфида цинка - германия
по: Кириллов, С. М.

Выращивание монокристалла дифосфида цинка-германия сильнолегированного Te с помощью оригинальной технологии легирования

Зависимость лучевой прочности дифосфида цинка-германия от постростовых обработок
по: Слюнько, Елена Сергеевна

Влияние легирования халькогенами Se, Te на оптические свойства дифосфида цинка-герамания
по: Лысенко, Алексей Борисович

Фоновый спектр тетрагонального ZnP2 в модели Китинга
по: Копытов, Анатолий Владимирович

Контроль качества монокристаллов ZnGeP2 оптическими методами
по: Демин, Виктор Валентинович

Исследование оптических свойств монокристалла дифосфида цинка-германия сильнолегированного Te

Узкополосные фильтры ближнего ИК-диапазона для систем дистанционного газоанализа

Идентификация полос роста монокристаллов ZnGeP2 методом цифровой голографии

Диффузионное легирование, как способ повышения порога оптического пробоя монокристалла дифосфида цинка-германия

Исследование дефектов структуры в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP2
по: Титов, Константин Сергеевич

Синтез и расплавный рост кристаллов Ga2S3 методом Бриджмена
по: Кох, Константин Александрович

Особенности формирования микроструктуры и изменения микротвердости тантала в процессе деформации кручением на наковальнях Бриджмена
по: Дитенберг, Иван Александрович

Особенности формирования субмикрокристаллического структурного состояния при пластической деформации сплава V-4Ti-4Cr на наковальнях Бриджмена

Влияние скорости кручения в условиях интенсивной пластической деформации на наковальнях бриджмена на структурно-фазовые превращения в метастабильной аустенитной стали