| Summary: | Представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–xTe p- и n-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии после воздействия мощного импульсного ИК-излучения твердотельного YAG/Nd3+- и химического DF-лазеров, излучающих на длине волны 1,06 и 3,8–4,2 мкм соответственно. Показано, что основным типом дефектов, возникающих в результате импульсного облучения, являются вакансии ртути, которые играют роль акцепторов в этом материале. Пространственное распределение генерируемых вакансий ртути зависит от интенсивности и длины волны лазерного излучения: дефекты, порождаемые импульсами YAG/Nd3+-лазера, концентрируются лишь вблизи поверхности, в то время как излучение DF-лазера создает дефекты по всему объему гетероэпитаксиальной структуры. Установлено, что облучение YAG/Nd3+-лазером имплантированных ионами бора гетероэпитаксиальных слоев p-CdxHg1–xTe приводит к активации внедренных атомов бора в результате плавления и рекристаллизации облученного поверхностного слоя.
|
|---|
