Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xТе
Представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe p- и n-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии после воздействия мощного импульсного ИК-излучения твердотельного YAG/Nd3+- и химического DF-лазеров, излучающих на дл...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 12. С. 3-14 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140073 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | Представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe p- и n-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии после воздействия мощного импульсного ИК-излучения твердотельного YAG/Nd3+- и химического DF-лазеров, излучающих на длине волны 1,06 и 3,8-4,2 мкм соответственно. Показано, что основным типом дефектов, возникающих в результате импульсного облучения, являются вакансии ртути, которые играют роль акцепторов в этом материале. Пространственное распределение генерируемых вакансий ртути зависит от интенсивности и длины волны лазерного излучения: дефекты, порождаемые импульсами YAG/Nd3+-лазера, концентрируются лишь вблизи поверхности, в то время как излучение DF-лазера создает дефекты по всему объему гетероэпитаксиальной структуры. Установлено, что облучение YAG/Nd3+-лазером имплантированных ионами бора гетероэпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe приводит к активации внедренных атомов бора в результате плавления и рекристаллизации облученного поверхностного слоя. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 33 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |