|
|
|
|
| LEADER |
03176nab a2200289 c 4500 |
| 001 |
koha001140073 |
| 005 |
20240603145020.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
240527|2012 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001140073
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 100 |
1 |
|
|a Талипов, Нияз Хатимович
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–xТе
|c Н. Х. Талипов
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 33 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–xTe p- и n-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии после воздействия мощного импульсного ИК-излучения твердотельного YAG/Nd3+- и химического DF-лазеров, излучающих на длине волны 1,06 и 3,8–4,2 мкм соответственно. Показано, что основным типом дефектов, возникающих в результате импульсного облучения, являются вакансии ртути, которые играют роль акцепторов в этом материале. Пространственное распределение генерируемых вакансий ртути зависит от интенсивности и длины волны лазерного излучения: дефекты, порождаемые импульсами YAG/Nd3+-лазера, концентрируются лишь вблизи поверхности, в то время как излучение DF-лазера создает дефекты по всему объему гетероэпитаксиальной структуры. Установлено, что облучение YAG/Nd3+-лазером имплантированных ионами бора гетероэпитаксиальных слоев p-CdxHg1–xTe приводит к активации внедренных атомов бора в результате плавления и рекристаллизации облученного поверхностного слоя.
|
| 653 |
|
|
|a гетероэпитаксиальные слои
|
| 653 |
|
|
|a радиационные дефекты
|
| 653 |
|
|
|a лазерное облучение
|
| 653 |
|
|
|a ионная имплантация
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2012
|g Т. 55, № 12. С. 3-14
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140073
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1140073
|d 1140073
|
