Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xТе
Представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe p- и n-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии после воздействия мощного импульсного ИК-излучения твердотельного YAG/Nd3+- и химического DF-лазеров, излучающих на дл...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 12. С. 3-14 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140073 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03362nab a2200313 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001140073 | ||
| 005 | 20240603145020.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 240527|2012 ru s c rus d | ||
| 035 | |a koha001140073 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 100 | 1 | |a Талипов, Нияз Хатимович |9 91702 | |
| 245 | 1 | 0 | |a Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xТе |c Н. Х. Талипов |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 33 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe p- и n-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии после воздействия мощного импульсного ИК-излучения твердотельного YAG/Nd3+- и химического DF-лазеров, излучающих на длине волны 1,06 и 3,8-4,2 мкм соответственно. Показано, что основным типом дефектов, возникающих в результате импульсного облучения, являются вакансии ртути, которые играют роль акцепторов в этом материале. Пространственное распределение генерируемых вакансий ртути зависит от интенсивности и длины волны лазерного излучения: дефекты, порождаемые импульсами YAG/Nd3+-лазера, концентрируются лишь вблизи поверхности, в то время как излучение DF-лазера создает дефекты по всему объему гетероэпитаксиальной структуры. Установлено, что облучение YAG/Nd3+-лазером имплантированных ионами бора гетероэпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe приводит к активации внедренных атомов бора в результате плавления и рекристаллизации облученного поверхностного слоя. | |
| 653 | |a гетероэпитаксиальные слои | ||
| 653 | |a радиационные дефекты | ||
| 653 | |a лазерное облучение | ||
| 653 | |a ионная имплантация | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 963067 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2012 |g Т. 55, № 12. С. 3-14 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140073 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1140073 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 039 | |b 100 | ||
| 999 | |c 1140073 |d 1140073 | ||