Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–xТе

Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–xТе

Представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–xTe p- и n-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии после воздействия мощного импульсного ИК-излучения твердотельного YAG/Nd3+- и химического DF-лазеров, излучающих на длине в...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 12. С. 3-14
Главный автор:	Талипов, Нияз Хатимович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	гетероэпитаксиальные слои радиационные дефекты лазерное облучение ионная имплантация статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140073

Похожие документы

Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе
по: Талипов, Нияз Хатимович

Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1–xTe
по: Талипов, Нияз Хатимович

Влияние состава варизонного слоя на формирование n+–n−–p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe
по: Талипов, Нияз Хатимович

Исследование воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe

Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Об особенностях эффекта Холла в МЛЭ и ЖФЭ гетероэпитаксиальных структурах n-CdxHg1-xTe в импульсном магнитном поле до 55 Тл
по: Талипов, Нияз Хатимович

Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Ion implantation in narrow-gap CdxHg1–xTe solid solutions
по: Talipov, Niyaz Kh

Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe
по: Талипов, Нияз Хатимович

Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Формирование поверхностных периодических структур в гетероэпитаксиальных слоях CdxYg1-xTe при воздействии мощного импульсного лазерного ИК излучения
по: Войцеховский, Александр Васильевич

О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига

Accumulation of arsenic implantation‑induced donor defects in Hg0.7Cd0.3Te heteroepitaxial structures

Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Методика расчета излучательных характеристик квантовых ям на основе CdxHg1-xTe
по: Горн, Дмитрий Игоревич

Фотоприемники на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe

Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

Динамика электрических свойств конвертированных при ионной имплантации и ионном травлении n-слоев в р-CdxHg1-xTe

Ионная имплантация в гетероэпитаксиальные слои и кристаллы p-CdxHg1-xTe
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Релаксация электрофизических параметров n-слоев в МЛЭ эпитаксиальных пленках p-CdxHg1-xTe сформированных ионной имплантацией и ионным травлением

Свойства гетероэпитаксиальных слоев германия и арсенида галлия и гетеропереходов на их основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Захаров, Иван Сафонович 1944-2010
Публикация: (1970)

Модельное представление пропускания мощного импульсного лазерного ИК-излучения в области фундаментального поглощения в эпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe

Ion implantation and ion milling in MBE Hg1-xCdxNe films

Annealing kinetics of radiation defects in boron-implanted p-Hg1-xCdxTe
по: Talipov, Niyaz Kh

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Горн, Дмитрий Игоревич
Публикация: (2012)

Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe

Определение электрофизических свойств МДП на основе nB(SL)n-структуры из HgCdTe в широком температурном диапазоне

Радиационное дефектообразование в кристаллах Hg1-x Cdx Te при ионной имплантации диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Шастов, Константин Владимирович
Публикация: (1988)

Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении
по: Средин, Виктор Геннадиевич

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального КРТ МЛЭ
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te

Модули упругости твердых растворов CdxHg1–xТe
по: Никифоров, Владимир Николаевич

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures

Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках

Исследование эпитаксиальных гетерослоев GeSi/Si методом рентгеновской дифрактометрии
по: Карева, Катерина Валерьевна

Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1–xCdxTe после ионной имплантации бора

О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления
по: Талипов, Нияз Хатимович