Локализация поля в одномерной фотонно-кристаллической структуре на дефекте инверсионного типа
Исследуется модификация спектра пропускания и распределения волнового поля в одномерном фотонном кристалле с одиночным и двойным дефектом инверсионного типа. Показано, что при наличии дефекта в зоне непропускания бездефектного кристалла образуется узкая мини-зона пропускания. При этом в области деф...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 7. С. 72-77 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140080 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | Исследуется модификация спектра пропускания и распределения волнового поля в одномерном фотонном кристалле с одиночным и двойным дефектом инверсионного типа. Показано, что при наличии дефекта в зоне непропускания бездефектного кристалла образуется узкая мини-зона пропускания. При этом в области дефекта происходит существенная локализация поля, зависящая от типа дефекта, его положения и числа полных периодов в структуре. Формирование двойного дефекта инверсии приводит к появлению в спектре двух дефектных мини-зон и перераспределению волнового поля в структуре. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 14 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |