Локализация поля в одномерной фотонно-кристаллической структуре на дефекте инверсионного типа - Елисеева, Светлана Вячеславовна (Известия высших учебных заведений. Физика)
Исследуется модификация спектра пропускания и распределения волнового поля в одномерном фотонном кристалле с одиночным и двойным дефектом инверсионного типа. Показано, что при наличии дефекта в зоне непропускания бездефектного кристалла образуется узкая мини-зона пропускания. При этом в области дефекта происходит существенная локализация поля, зависящая от типа дефекта, его положения и числа полных периодов в структуре. Формирование двойного дефекта инверсии приводит к появлению в спектре двух дефектных мини-зон и перераспределению волнового поля в структуре.