Локализация поля в одномерной фотонно-кристаллической структуре на дефекте инверсионного типа

Исследуется модификация спектра пропускания и распределения волнового поля в одномерном фотонном кристалле с одиночным и двойным дефектом инверсионного типа. Показано, что при наличии дефекта в зоне непропускания бездефектного кристалла образуется узкая мини-зона пропускания. При этом в области деф...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 7. С. 72-77
Main Author: Елисеева, Светлана Вячеславовна
Other Authors: Остаточников, Владимир Александрович, Семенцов, Дмитрий Игоревич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140080
Перейти в каталог НБ ТГУ