Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
| Главный автор: | Диб, Хазем |
|---|---|
| Соавтор: | Томский государственный университет |
| Формат: | Электронная книга |
| Язык: | Russian |
| Публикация: |
Томск
[б. и.]
2024
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140152 |
Похожие документы
-
Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Диб, Хазем
Публикация: (2024) - Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона
- Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона
-
Фотодиоды учебное пособие
Публикация: (2008) -
Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения
по: Диб, Хазем
