Моделирование электронных свойств напряженного кремния на германиевой подложке - Филиппов, Владимир Владимирович физик (Известия высших учебных заведений. Физика)
Построена модель для расчета деформаций в структуре из произвольного числа тонких кристаллических слоев Si и Ge на неупругой пленке. Определены относительные деформации в слоях псевдоморфных Si и Ge в зависимости от отношения толщин контактирующих полупроводников. Построенная модель позволяет определять подвижность электронов напряженного n-Si на деформирующей подложке Ge(001) или SiGe(001). Показано возникновение эффекта концентрирования тока проводимости в напряженных каналах кремниевых транзисторов на подложке высокоомного германия.