Формирование примесно-дефектных комплексов меди и их влияние на электрофизические свойства кремния
Методом измерения удельного сопротивления, концентрации и времени жизни носителей заряда (τ), а также с помощью инфракрасного микроскопа определены типы и природа структурных дефектов в кремнии р-типа, легированном медью. Обнаружено увеличение и стабилизация значений τ, обусловленные образованием ур...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 1. С. 57-62 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140212 |
| Summary: | Методом измерения удельного сопротивления, концентрации и времени жизни носителей заряда (τ), а также с помощью инфракрасного микроскопа определены типы и природа структурных дефектов в кремнии р-типа, легированном медью. Обнаружено увеличение и стабилизация значений τ, обусловленные образованием уровня прилипания, связанного с комплексом «медь – кислород» [Cu–O] в кремнии. Показано, что уход атомов меди от насыщенной дислокации в объем слаболегированного кремния в процессе медленного охлаждения после высокотемпературной диффузии связан с распадом твердого раствора Si–Cu. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 15 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |