Формирование примесно-дефектных комплексов меди и их влияние на электрофизические свойства кремния

Методом измерения удельного сопротивления, концентрации и времени жизни носителей заряда (τ), а также с помощью инфракрасного микроскопа определены типы и природа структурных дефектов в кремнии р-типа, легированном медью. Обнаружено увеличение и стабилизация значений τ, обусловленные образованием...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 1. С. 57-62
Other Authors: Каримов, Махамадали, Махкамов, Шермахмат, Турсунов, Нигматилла Алиакбарович, Бакиев, Саидамин Алимович, Махмудов, Шерзод Ахмадович, Саттиев, Абдулазиз Расулжонович, Акрамов, Фазлидин Суннатуллаевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140212
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 03479nab a2200505 c 4500
001 koha001140212
005 20240604124051.0
007 cr |
008 240528|2014 ru s c rus d
035 |a koha001140212 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Формирование примесно-дефектных комплексов меди и их влияние на электрофизические свойства кремния  |c М. Каримов, Ш. Махкамов, Н. А. Турсунов [и др.] 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 15 назв. 
520 3 |a Методом измерения удельного сопротивления, концентрации и времени жизни носителей заряда (τ), а также с помощью инфракрасного микроскопа определены типы и природа структурных дефектов в кремнии р-типа, легированном медью. Обнаружено увеличение и стабилизация значений τ, обусловленные образованием уровня прилипания, связанного с комплексом «медь - кислород» [Cu-O] в кремнии. Показано, что уход атомов меди от насыщенной дислокации в объем слаболегированного кремния в процессе медленного охлаждения после высокотемпературной диффузии связан с распадом твердого раствора Si-Cu. 
653 |a электрофизические свойства 
653 |a кремний р-типа 
653 |a рекомбинационные центры 
653 |a уровень прилипания 
653 |a время жизни носителей заряда 
653 |a концентрация носителей заряда 
653 |a легирование 
653 |a скорость охлаждения 
653 |a структурные дефекты 
653 |a преципитаты 
653 |a диффузия 
653 |a примеси 
653 |a медь 
653 |a удельное сопротивление 
655 4 |a статьи в журналах  |9 963400 
700 1 |a Каримов, Махамадали  |9 958792 
700 1 |a Махкамов, Шермахмат  |9 553001 
700 1 |a Турсунов, Нигматилла Алиакбарович  |9 963402 
700 1 |a Бакиев, Саидамин Алимович  |9 963403 
700 1 |a Махмудов, Шерзод Ахмадович  |9 762929 
700 1 |a Саттиев, Абдулазиз Расулжонович  |9 963405 
700 1 |a Акрамов, Фазлидин Суннатуллаевич  |9 963406 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2014  |g Т. 57, № 1. С. 57-62  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140212 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1140212 
908 |a статья 
999 |c 1140212  |d 1140212 
039 |b 100