Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
| Main Author: | Диб, Хазем |
|---|---|
| Corporate Author: | Томский государственный университет |
| Other Authors: | Коханенко, Андрей Павлович (Thesis advisor) |
| Format: | eBook |
| Language: | Russian |
| Published: |
Томск
[б. и.]
2024
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140272 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения
by: Диб, Хазем -
Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
by: Диб, Хазем -
Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды: учебное пособие для вузов/
by: Филачёв, А. М. Анатолий Михайлович, et al.
Published: (2011) -
Техника оптической связи фотоприемники
Published: (1988) -
Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si на длину волны 850 нм
by: Диб, Хазем
