Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11

Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11

Библиографическая информация
Главный автор:	Диб, Хазем
Соавтор:	Томский государственный университет
Другие авторы:	Коханенко, Андрей Павлович (Thesis advisor)
Формат:	Электронная книга
Язык:	Russian
Публикация:	Томск [б. и.] 2024
Предметы:	физика полупроводников. диссертации фотодиоды лавинные ИК-диапазона фотодиоды лавинные кремний-германиевые наногетероструктуры кремний-германиевые наноотверстия в поглощающем слое, применение Silvaco, программный пакет САПР процессов в лавинном фотодиоде физико-математические модели, разработка электронно-дырочные пары, генерация оптическое излучение, преобразование в электрический сигнал наногетероструктуры эпитаксиальные тонкие электрофизические параметры фотодиодов, моделирование оптические параметры фотодиодов, моделирование
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140272 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения
по: Диб, Хазем

Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
по: Диб, Хазем

Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды: учебное пособие для вузов/
по: Филачёв, А. М. Анатолий Михайлович, et al.
Публикация: (2011)

Техника оптической связи фотоприемники
Публикация: (1988)

Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si на длину волны 850 нм
по: Диб, Хазем

Single‑photon avalanche diode detectors based on group IV materials

Ge/Si avalanche photodiodes dark current

Фотодиоды учебное пособие
Публикация: (2008)

Современные проблемы волоконно-оптических линий связи: В 4 т./
по: Кемельбеков, Бекен Жасымбаевич
Публикация: (2001)

Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды [учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки: 200400 - Оптотехника; 200500 - Лазерная техника и лазерные технологии; 200700 - Фотоника и оптоинформатика]
по: Филачев, Анатолий Михайлович
Публикация: (2011)

Приемники и приемные модули
по: Кемельбеков, Бекен Жасымбаевич
Публикация: (2001)

Инверсные слои в структурах на основе AlxGa1-xSb

Dependence of Ge/Si avalanche photodiode performance on the thickness and doping concentration of the multiplication and absorption layers

Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии

Admittance Spectroscopy for the Research of Germanium-on-Silicon Quantum Dot Structures Parameters

Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи

Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Исследование гомодинного акустооптического спектроанализатора и оптимизация его параметров: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 2.2.13/
по: Аронов, Л. А. Леонид Андреевич
Публикация: (2023)

Разработка модели портативного сцинтилляционного детектора гамма-излучения на основе твердотельных микропиксельных лавинных фотодиодов
по: Никишкин, Тимофей Геннадьевич

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
по: Коханенко, Андрей Павлович

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Интегральная схема широкополосного управляемого цифрового аттенюатора на основе кремний-германиевой технологии
по: Добуш, Игорь Мирославович

Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Диб, Хазем
Публикация: (2024)

Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Электронная структура и оптические свойства кремния с квантовыми точками Ge
по: Гриняев, Сергей Николаевич

Основы волоконно-оптической связи пер. с англ.
Публикация: (1980)

Параметры массива квантовых точек германия на кремнии в зависимости от условий роста

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Иммерсионные фотодиоды на основе арсенида индия, работающие при комнатной температуре

Полупроводниковые фотоприемники и преобразователи излучения (фотоэлементы, фотодиоды, фототриоды): сборник статей/
Публикация: (1965)

Переходные процессы в германиевых диодах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Калыгина, Вера Михайловна
Публикация: (1969)

Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники учебное пособие : [для студентов вузов, обучающихся по направлениям подготовки 200200 - "Оптотехника", 200700 - "Фотоника и оптоинформатика" и 200500 - "Лазерная техника и лазерные технологии"]
Публикация: (2013)

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Лозовой, Кирилл Александрович
Публикация: (2016)

Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов
по: Амброзяк, А.
Публикация: (1970)