Протасов, Д. Ю., Новоселов, А. Р., Комбаров, Д. В., Костюченко, В. Я., Долбак, А. Е., Михайлов, Н. Н. ф., & Дворецкий, С. А. Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий – ртуть – теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Известия высших учебных заведений. Физика, 0026-80960(2013), .
Chicago-стиль цитированияПротасов, Дмитрий Юрьевич, Андрей Рудольфович Новоселов, Дмитрий Владимирович Комбаров, Владимир Яковлевич Костюченко, Андрей Евгеньевич Долбак, Николай Николаевич физик Михайлов, and Сергей Алексеевич Дворецкий. "Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий – ртуть – теллур P-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии." Известия высших учебных заведений. Физика 0026-80960, no. 2013 ().
MLA-цитированиеПротасов, Дмитрий Юрьевич, et al. "Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий – ртуть – теллур P-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии." Известия высших учебных заведений. Физика, vol. 0026-80960, no. 2013, .
