Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий – ртуть – теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Отжиг образцов КРТ p-типа при температурах 90–120 °С приводит к резкому (на два-три порядка) увеличению концентрации дырок. Если перед отжигом поверхность образцов не была защищена фоторезистором, они имели контакт с водными растворами и во время отжига были закреплены с помощью индия, имеющего омич...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 3. С. 69-74
Other Authors:	Протасов, Дмитрий Юрьевич, Новоселов, Андрей Рудольфович, Комбаров, Дмитрий Владимирович, Костюченко, Владимир Яковлевич, Долбак, Андрей Евгеньевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Дворецкий, Сергей Алексеевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	кадмий-ртуть-теллур низкотемпературный отжиг статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140549