|
|
|
|
| LEADER |
02956nab a2200337 c 4500 |
| 001 |
koha001140549 |
| 005 |
20241128121650.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
240605|2013 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001140549
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий – ртуть – теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
|c Д. Ю. Протасов, А. Р. Новоселов, Д. В. Комбаров [и др.]
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 17 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Отжиг образцов КРТ p-типа при температурах 90–120 °С приводит к резкому (на два-три порядка) увеличению концентрации дырок. Если перед отжигом поверхность образцов не была защищена фоторезистором, они имели контакт с водными растворами и во время отжига были закреплены с помощью индия, имеющего омический контакт с КРТ. Наличие индия на поверхности образцов приводит к появлению градиента элементов Hg и Cd в приповерхностной области при отжигах. Оже-спектроскопия не обнаруживает появление в таких образца химических элементов, которые обычно являются акцепторами в КРТ. Акцептором, который приводит к возрастанию концентрации дырок, может являться водород.
|
| 653 |
|
|
|a кадмий-ртуть-теллур
|
| 653 |
|
|
|a низкотемпературный отжиг
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Протасов, Дмитрий Юрьевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Новоселов, Андрей Рудольфович
|
| 700 |
1 |
|
|a Комбаров, Дмитрий Владимирович
|
| 700 |
1 |
|
|a Костюченко, Владимир Яковлевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Долбак, Андрей Евгеньевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Михайлов, Николай Николаевич
|c физик
|
| 700 |
1 |
|
|a Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2013
|g Т. 56, № 3. С. 69-74
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140549
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1140549
|d 1140549
|
