Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий – ртуть – теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Отжиг образцов КРТ p-типа при температурах 90–120 °С приводит к резкому (на два-три порядка) увеличению концентрации дырок. Если перед отжигом поверхность образцов не была защищена фоторезистором, они имели контакт с водными растворами и во время отжига были закреплены с помощью индия, имеющего омич...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 3. С. 69-74
Другие авторы:	Протасов, Дмитрий Юрьевич, Новоселов, Андрей Рудольфович, Комбаров, Дмитрий Владимирович, Костюченко, Владимир Яковлевич, Долбак, Андрей Евгеньевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Дворецкий, Сергей Алексеевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	кадмий-ртуть-теллур низкотемпературный отжиг статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140549