Влияние оптического облучения на электрический импеданс композитных наноструктур, сформированных на основе слоистого полупроводника p-GaSe и наноразмерных трехмерных включений сегнетоэлектрика KNO3 - Бахтинов, Анатолий Петрович; Водопьянов, Владимир Николаевич; Ковалюк, Захар Дмитриевич; Кудринский, Захар Русланович; Нетяга, Виктор Васильевич (Известия высших учебных заведений. Физика)
Исследованы импедансные спектры композитных наноструктур GaSe<KNO3> в темноте и при их облучении светом. Установлено, что процессы аккумуляции и переноса носителей заряда в этих структурах определяются деформационным взаимодействием между 3D-наноразмерными пирамидальными сегнетоэлектрическими включениями и слоистой матрицей GaSe. В области низких частот импедансного спектра на частотных зависимостях наблюдаются резкие изменения проводимости и емкости структур. Зависимость импедансных спектров от приложенного к структурам постоянного напряжения при их облучении светом связывается с квантово-размерными эффектами, которые проявляются при наномасштабных деформациях кристалла и вследствие проявления эффекта электронной флексоэлектрической связи на искривленных наноразмерных участках его слоев, через которые осуществляется вертикальный транспорт носителей заряда. Установлено значительное увеличение электрической емкости композитных наноструктур при их освещении. Это явление обусловлено экранированием спонтанной поляризации наноразмерных сегнетоэлектрических включений неравновесными носителями заряда на границах раздела между включениями и матрицей GaSe.