Влияние оптического облучения на электрический импеданс композитных наноструктур, сформированных на основе слоистого полупроводника p-GaSe и наноразмерных трехмерных включений сегнетоэлектрика KNO3
Исследованы импедансные спектры композитных наноструктур GaSe<KNO3> в темноте и при их облучении светом. Установлено, что процессы аккумуляции и переноса носителей заряда в этих структурах определяются деформационным взаимодействием между 3D-наноразмерными пирамидальными сегнетоэлектрическим...
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 5. С. 70-84 |
---|---|
Other Authors: | Бахтинов, Анатолий Петрович, Водопьянов, Владимир Николаевич, Ковалюк, Захар Дмитриевич, Кудринский, Захар Русланович, Нетяга, Виктор Васильевич |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140627 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Электромагнитный отклик от композиционных материалов на основе сегнетоэлектрика и феррита
- Диэлектрические свойства сегнетоэлектрика иодида диизопропиламмония, внедренного в молекулярные сита SBA-15
-
Сдвиг фазовых переходов в сегнетоэлектрическом композите (NaNO2)1–x/(KNO2)x
by: Стукова, Елена Владимировна -
Диэлектрические свойства кристаллических бинарных смесей KNO3–NH4NO3
by: Милинский, Алексей Юрьевич - Структуры с поочередными полупроводниковыми и нематическими нанопрослойками: формирование, свойства, применение