Контроль качества монокристаллов ZnGeP2 оптическими методами

Контроль качества монокристаллов ZnGeP2 оптическими методами

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 10. С. 106-107
Главный автор:	Демин, Виктор Валентинович
Другие авторы:	Половцев, Игорь Георгиевич 1956-, Каменев, Денис Вадимович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	фосфид германия цинка монокристаллы обнаружение дефектов оптические методы исследования статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141128

Похожие документы

Quality control of ZnGeP2 single crystals using optical methods
по: Dyomin, Victor V.

Анализ остаточного оптического поглощения в ближней ИК-области в кристаллах ZnGeP2
по: Воеводин, Валерий Георгиевич

Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2
по: Воеводин, Валерий Георгиевич

Влияние послеростовых обработок монокристаллов ZnGeP2 на оптические свойства в ТГц-диапазоне
по: Воеводин, Владимир Иванович

Исследования роста крупноразмерных монокристаллов ZnGeP2 для параметрических генераторов света
по: Титов, Константин Сергеевич

Исследование процесса синтеза ZnGeP2 двухтемпературным методом
по: Бобылева, О. Д.

High-strength optical coatings for single-crystal ZnGeP2 by the IBS method using selenide and oxide materials

Параметрический генератор света на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 для дистанционного обнаружения утечек метана

Получение монокристаллов ZnGeP2 методом ХТР в системе ZnGeP2-ZnCl2-P

Влияние облучения реакторными нейтронами на структуру монокристаллов InP

Численное исследование процессов массопереноса в газовой фазе при двухтемпературном синтезе ZnGeP2
по: Лебедев, И. Н.

Моделирование континуального поглощения монокристаллического ZnGeP2

Влияние лазерной закалки поверхности монокристаллов ZnGeP2 на порог оптического пробоя
по: Кальсин, Андрей Юрьевич

Оптическое "просветление" нелинейно-оптического кристалла ZnGeP2
по: Воеводин, Владимир Иванович

Улучшение пространственной однородности монокристаллов ZnGeP2, выращиваемых методом Бриджмена в вертикальном варианте

Получение монокристаллов полупроводникового соединения ZnGeP2 для нелинейной оптики
по: Верозубова, Галина Александровна

Дефектоскопия монокристаллов ZnGeP2 излучением лазера на парах стронция

Просветляющие оптические покрытия нелинейных кристаллов ZnGeP2

О механизме оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

Ab-initio study of cation-rich InP(001) and GaP(001) surface reconstructions and iodine adsorption
по: Bakulin, Alexander V.

Effect of dopants on laser-induced damage threshold of ZnGeP2

Диагностика включений в кристаллах ZnGeP2 методом терагерцовой спектроскопии

Адаптация теории интерферометра Фабри-Перо для обработки данных терагерцовой спектроскопии ZnGeP2

Характер изменения микротвердости плоскости (0001) монокристаллов Zn под действием электростатического поля и возможная причина этого эффекта
по: Орлова, Дина Владимировна

Influence of postgrowth processing technology on the laser induced damage threshold of ZnGeP2 single crystal

The influence of angstrom-scale roughness on the laser-induced damage threshold of single-crystal ZnGeP2

Комплексный экспериментальный подход обнаружения дефектов в углерод-углеродном композите методами лазерной виброметрии и оптической термографии

Собственно-дефектные центры люминесценции в ZnS, легированном S, O, Ag диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.05
по: Швецов, Юрий Васильевич
Публикация: (1988)

Генерация ТГц-излучения на разностной частоте в ZnGeP2 при накачке излучением стронциевого лазера

Laser-induced damage threshold of ZnGeP2 crystal for (sub)picosecond 1-μm laser pulse

Определение влияния магнитореологической полировки рабочих поверхностей монокристалл ZnGeP2 на изменение порога оптического пробоя

Влияние постростовых технологических обработок на диэлектрические параметры кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот
по: Воеводин, Владимир Иванович

Multilayer antireflection optical coatings based on Nb, Si and Al oxides for nonlinear ZnGeP2 crystals

Полупроводниковые материалы в современной электронике/
по: Мильвидский, М. Г. Михаил Григорьевич
Публикация: (1986)

Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-TiO2/n-GaP
по: Брус, Виктор Васильевич

Некоторые исследования электрических свойств и электролюминесценции монокристаллов Zn8, активированных марганцем и медью диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Чернявский, Борис Григорьевич
Публикация: (1967)

Исследование процесса оптического пробоя кристаллов ZnGeP2 посредством цифровой голографии

Особенности кинетики и механизма формирования пленок при оксидировании гетероструктур V2O5/InP, сформированных методами реактивного магнетронного распыления и электрического взрыва проводника

Optical AR coatings of the Mid-IR band for ZnGeP2 single crystals based on ZnS and oxide aluminum

Фазовый состав и морфология поверхности диэлектрических и полупроводниковых пленок, сформированных термооксидированием гетероструктур (V2O5+PbO)/InP и (NiO+PbO)/InP