Поляризационные свойства MQW-гетероструктур из InGaN/GaN при нагреве
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 12. С. 31-38 |
|---|---|
| Main Author: | Давыдов, Валерий Николаевич |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141239 |
Similar Items
-
Пиро- и пьезокоэффициенты структуры множественных квантовых ям
by: Давыдов, Валерий Николаевич -
Модель гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w- GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов, Александр Николаевич - Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN
-
Полярные свойства номинально чистых поляризованных кристаллов ТГС
by: Кушнарев, Павел Иванович -
Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич
