Поляризационные свойства MQW-гетероструктур из InGaN/GaN при нагреве

Поляризационные свойства MQW-гетероструктур из InGaN/GaN при нагреве

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 12. С. 31-38
Главный автор:	Давыдов, Валерий Николаевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	спонтанная поляризация пироэлектрический эффект гетероструктуры пьезоэлектрический эффект статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141239

Похожие документы

Пиро- и пьезокоэффициенты структуры множественных квантовых ям
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Модель гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w- GaN/AlGaN(0001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Полярные свойства номинально чистых поляризованных кристаллов ТГС
по: Кушнарев, Павел Иванович

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
по: Брудный, Валентин Натанович

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Влияние пироэлектрического эффекта на характеристики самовоздействия световых пучков в фоторефрактивном ниобате лития
по: Парханюк, Александр Николаевич

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Публикация: (2023)

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Публикация: (2023)

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Электризация боковой поверхности Z-ориентированного монокристалла ниобата лития при пироэлектрическом эффекте

Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
по: Коржавина, Н. С.

InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона
по: Брудный, Павел Александрович

Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Научно-технологические проблемы создания полупроводниковых приборов нового поколения на гетероструктурах типа AlGaN/GaN

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
по: Сысоева, С. Г.
Публикация: (2017)

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
по: Сысоева, С. Г.
Публикация: (2018)

Самосогласованный расчет туннельного тока в нитридных структурах GaN/AlGaN(0001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Комбинированное облучение гетероструктур AlGaAs
по: Градобоев, Александр Васильевич

Туннельный ток в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AlxGa1-x N(0001) и GaAs/AlxGa1-x As(001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики: научное издание/
по: Смоленский, Г. А. Георгий Анатольевич, et al.
Публикация: (1968)

Численное моделирование светодиодных структур на основе GaN/InGaN
по: Иванова, Елизавета Сергеевна

Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-TiO2/n-GaP
по: Брус, Виктор Васильевич

Фотоупругие и электрооптические свойства кристаллов
по: Нарасимхамурти, Тамма Сатья
Публикация: (1984)

Кристаллы СИД на основе гетероструктур GaAlAs

Влияние модификации покровного слоя на свойства водородочувствительных диодных квантово-размерных гетероструктур Pd/GaAs/InGaAs