Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела - Брудный, Валентин Натанович (Известия высших учебных заведений. Физика)
Анализ экспериментальных данных выявил зависимость высоты барьера металл/n-GaN GaN(0001) от работы выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности полупроводника. В случае барьеров металл/p-GaN(Mg) имеет место значительный разброс соответствующих экспериментальных данных и закрепление приповерхностного уровня Ферми вблизи Ev + 2.5 эВ в большинстве структур, что обусловлено влиянием высокой плотности интерфейсных дефектных состояний, сформированных в процессе легирования GaN примесью Mg.