Определение элементов эквивалентной схемы гетероструктур с множественными квантовыми ямами
Получены аналитические зависимости элементов эквивалентной схемы гетероструктуры от свойств материала квантовых ям, их местоположения и напряжения смещения гетероструктуры. На их основе получены выражения для расчета зависимостей эквивалентной емкости и эквивалентного сопротивления гетероструктуры о...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 11. С. 127-133 |
|---|---|
| Главный автор: | Давыдов, Валерий Николаевич |
| Другие авторы: | Моргунов, Александр Николаевич |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141302 |
Похожие документы
-
Эквивалентная схема гетероструктуры с множественными квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич -
Последовательно-параллельная эквивалентная схема гетероструктуры с квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич -
Резистивное профилирование как метод исследования гетероструктур с множественными квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич -
Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич -
Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
по: Бессонов, Дмитрий Владимирович
