Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Представлены результаты экспериментальных исследований внутреннего квантового выхода фотолюминесценции светодиодных гетероструктур синего диапазона длин на основе множественных квантовых ями InₓGa₁₋ₓN/GaN с короткопериодными сверхрешетками InᵧGa₁₋ᵧN/GaN с малым содержанием In при высоких уровнях опт...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 7. С. 19-22
Другие авторы:	Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич, Копьев, Виктор Васильевич, Брудный, Валентин Натанович, Мармалюк, Александр Анатольевич 1970-, Курешов, Владимир Александрович, Сабитов, Дамир Равильевич, Мазалов, Александр Владимирович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	нитрид галлия/индия светодиоды квантовые ямы короткопериодные сверхрешетки фотолюминесценция внутренний квантовый выход статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141338