Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки - Прудаев, Илья Анатольевич; Романов, Иван Сергеевич; Копьев, Виктор Васильевич; Брудный, Валентин Натанович; Мармалюк, Александр Анатольевич 1970-; Курешов, Владимир Александрович; Сабитов, Дамир Равильевич; Мазалов, Александр Владимирович (Известия высших учебных заведений. Физика)
Представлены результаты экспериментальных исследований внутреннего квантового выхода фотолюминесценции светодиодных гетероструктур синего диапазона длин на основе множественных квантовых ями InₓGa₁₋ₓN/GaN с короткопериодными сверхрешетками InᵧGa₁₋ᵧN/GaN с малым содержанием In при высоких уровнях оптической накачки. Введение сверхрешетки InᵧGa₁₋ᵧN/GaN со стороны n-области светодиодной гетероструктуры InₓGa₁₋ₓN/GaN позволяет повысить значение ее внутреннего квантового выхода предположительно за счет уменьшения квантового эффекта Штарка и снижения темпа оже-рекомбинации.