Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки
Представлены результаты экспериментальных исследований внутреннего квантового выхода фотолюминесценции светодиодных гетероструктур синего диапазона длин на основе множественных квантовых ями InₓGa₁₋ₓN/GaN с короткопериодными сверхрешетками InᵧGa₁₋ᵧN/GaN с малым содержанием In при высоких уровнях опт...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 7. С. 19-22 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141338 |