Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Представлены результаты экспериментальных исследований внутреннего квантового выхода фотолюминесценции светодиодных гетероструктур синего диапазона длин на основе множественных квантовых ями InₓGa₁₋ₓN/GaN с короткопериодными сверхрешетками InᵧGa₁₋ᵧN/GaN с малым содержанием In при высоких уровнях опт...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 7. С. 19-22
Другие авторы:	Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич, Копьев, Виктор Васильевич, Брудный, Валентин Натанович, Мармалюк, Александр Анатольевич 1970-, Курешов, Владимир Александрович, Сабитов, Дамир Равильевич, Мазалов, Александр Владимирович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	нитрид галлия/индия светодиоды квантовые ямы короткопериодные сверхрешетки фотолюминесценция внутренний квантовый выход статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141338

Похожие документы

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
по: Копьев, Виктор Васильевич

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
по: Брудный, Валентин Натанович

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Энергетический спектр и электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Сравнительный анализ падения эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при электрических и оптических условиях накачки
по: Копьев, Виктор Васильевич

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
по: Prudaev, Ilya A.

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions
по: Kopyev, Viktor V.

Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond

Оптические свойства корругированных сверхрешеток GaAs/AlAs (311)

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
по: Коржавина, Н. С.

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Копьев, Виктор Васильевич
Публикация: (2019)

The surface roughening of GaN by wet chemical etching

Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN
по: Романов, Иван Сергеевич

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Фотолюминесценция структур с GaN квантовыми точками в матрице AlN
по: Ри, Д. Д.

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Оптические функции и электронная структура гексагонального w-GaN
по: Стерхова, М. А.

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD
по: Курчин, Константин Николаевич

Необратимый характер реакции осаждения GaN в хлорид-гидридном процессе

Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
по: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Эпитаксиальные слои GaN, выращенные хлорид-гидридным методом, и их свойства

Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами

Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1