Фотопроводимость в магнитном поле пленок р-типа кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом жидкофазной эпитаксии - Костюченко, Владимир Яковлевич; Протасов, Дмитрий Юрьевич; Андрусов, Юрий Борисович; Денисов, Игорь Андреевич; Войцеховский, Александр Васильевич (Известия высших учебных заведений. Физика)
Изучена фотопроводимость в магнитном поле для геометрии Фарадея на пленках кадмий – ртуть – теллур р-типа, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках кадмий – цинк – теллур. Из магнитополевой зависимости сигнала фотопроводимости при освещении пленки со стороны подложки или со стороны свободной поверхности определены различные значения подвижности неосновных носителей заряда (электронов). Показано, что для математического описания сигнала фотопроводимости в магнитном поле можно использовать электроны двух типов – «быстрые» и «медленные», а также «тяжелые» дырки.