Линейно-циркулярный дихроизм четырехфотонного поглощения света в полупроводниках со сложной валентной зоной
Рассчитаны матричные элементы оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника типа p-GaAs. При этом учтены переходы, связанные как с неодновременным поглощением отдельных фотонов, так и одновременным поглощением двух фотонов. Получены выражения для средних значений кв...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 12. С. 13-17 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141412 |
| Summary: | Рассчитаны матричные элементы оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника типа p-GaAs. При этом учтены переходы, связанные как с неодновременным поглощением отдельных фотонов, так и одновременным поглощением двух фотонов. Получены выражения для средних значений квадрата модуля матричных элементов, рассчитанные относительно телесного угла волнового вектора дырок. Теоретически исследован линейно-циркулярный дихроизм четырехфотонного поглощения света в полупроводниках со сложной валентной зоной. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 8 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |
