Линейно-циркулярный дихроизм четырехфотонного поглощения света в полупроводниках со сложной валентной зоной - Расулов, Рустам Явкачович (Известия высших учебных заведений. Физика)
Рассчитаны матричные элементы оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника типа p-GaAs. При этом учтены переходы, связанные как с неодновременным поглощением отдельных фотонов, так и одновременным поглощением двух фотонов. Получены выражения для средних значений квадрата модуля матричных элементов, рассчитанные относительно телесного угла волнового вектора дырок. Теоретически исследован линейно-циркулярный дихроизм четырехфотонного поглощения света в полупроводниках со сложной валентной зоной.