Линейно-циркулярный дихроизм четырехфотонного поглощения света в полупроводниках со сложной валентной зоной
Рассчитаны матричные элементы оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника типа p-GaAs. При этом учтены переходы, связанные как с неодновременным поглощением отдельных фотонов, так и одновременным поглощением двух фотонов. Получены выражения для средних значений кв...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 12. С. 13-17 |
|---|---|
| Main Author: | Расулов, Рустам Явкачович |
| Other Authors: | Расулов, Вохоб Рустамович, Эшболтаев, Икболжон Мамиржонович |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141412 |
Similar Items
- Межзонное однофотонное поглощение света и его линейно-циркулярный дихроизм в кристаллах тетраэдрической симметрии
- Однофотонное поглощение поляризованного излучения в р-Те (учет эффекта когерентного насыщения)
- Двух- и трехфотонный линейно-циркулярный дихроизм в полупроводниках кубической симметрии
- Magneto-optical properties of nanoparticle dispersions based on Fe3O4, obtained by pulse laser ablation in a liquid
- Межзонное многофотонное поглощение поляризованного излучения и его линейно-циркулярный дихроизм в полупроводниках в приближении Кейна
