Линейно-циркулярный дихроизм четырехфотонного поглощения света в полупроводниках со сложной валентной зоной
Рассчитаны матричные элементы оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника типа p-GaAs. При этом учтены переходы, связанные как с неодновременным поглощением отдельных фотонов, так и одновременным поглощением двух фотонов. Получены выражения для средних значений кв...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 12. С. 13-17 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141412 |