К теории сдвигового линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках симметрии тетраэдра при двухфотонном поглощении
Теоретически проанализировано возникновение тока сдвигового линейного фотогальванического эффекта при двухфотонном поглощении света в полупроводниках без центра симметрии со сложной зонной структурой. При этом учтены вклады в фототок как одновременного поглощения двух фотонов, так и последовател...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 1. С. 77-82 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141486 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | Теоретически проанализировано возникновение тока сдвигового линейного фотогальванического эффекта при двухфотонном поглощении света в полупроводниках без центра симметрии со сложной зонной структурой. При этом учтены вклады в фототок как одновременного поглощения двух фотонов, так и последовательного поглощения двух одинарных фотонов. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 15 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |